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北京航空航天大学从2007年的第9，何年到2012年小涨到第8，再到今年大涨到并列第一。另一所老牌材料名校东北大学也在2次排名退步明显，流勇第8到第16，再到前17（A-等，并列第9，成绩最好的情况是第九，最差是第十七）。
请回轻武汉理工大学从2012年第五涨到今年并列第一。这次名次上升最多，何年最耀眼的有两所，分别是武汉理工大学、北京航空航天大学。北京科技大学虽然2012年保住第二名，流勇但2017年也退到了前8（A等，并列第4，成绩最好的情况也是第四，最差就是第八）。
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中南大学从2007年的第二名，请回轻退到2012年的第8名，再退到2017年的前17名（A-等，并列第9，成绩最好的情况是第九，最差是第十七）。何年(c,d)单层h-BN交叉开关器件中双极性和单极性开关响应的I-V曲线。
流勇图7. BN基忆阻器的基本特性(a,b)Ti/thinh-BN/Cu器件的结构图示及忆阻器的经典I-V曲线。【成果简介】近期，请回轻河北大学闫小兵教授和深圳大学张晗教授（共同通讯作者）等人基于二维材料忆阻器的快速发展，请回轻总结了二维材料在忆阻器中的应用及其物理开关机制，并对其存在的挑战和发展前景进行了讨论。
先后获得霍英东青年教师奖、何年河北省青年科技奖。流勇(f)不同TE材料忆阻器的I-V曲线。
